[发明专利]一种消除硅片同心圆缺陷的方法

摘要

本发明涉及一种消除硅片同心圆缺陷的方法，属于单晶硅生产技术领域，该方法在实施之前，通过PL光致发光测试系统对硅片进行筛选，筛选出将来会出现同心圆缺陷的硅片，该方法首先将硅片放入石英舟中，再放入扩散炉对硅片进行加热，加热之前向扩散炉中充满高纯氩气，扩散炉加热至680℃后进行恒温保持，30min后将硅片拿出并使用降温器进行快速降温，最后形成合格的硅片，降温器能够用于大量硅片的快速冷却，风冷的效果较为均匀，能够避免硅片出现品质不均匀而导致不能使用的情况，该发明的应用能够使得存在同心圆缺陷的硅片原片回收利用，提高硅棒切片后的利用率，降低硅片的生产成本。

主权项

1.一种消除硅片同心圆缺陷的方法，其特征在于，该方法的处理过程设置在单晶硅硅棒切为硅片原片和后续加工成硅片成品两个步骤之间，该方法利用扩散炉对硅片原片进行高温处理，取出后进行快速降温，最后形成合格的硅片原片，具体步骤如下：a、将硅片原片装入石英舟，然后放入扩散炉中加热至660℃‑700℃，恒温保持20‑40min；b、将载有硅片原片的石英舟从扩散炉中取出，并快速降至室温，最后形成合格的硅片原片；所述的步骤b中，快速降温所用设备为降温器，降温器包括框架式的支撑架，支撑架下部设置有置物架，置物架包括平行排布的一组横杆(1)，相邻两横杆(1)的间距小于石英舟的长度，支撑架上部设置有门型支架(2)，支架(2)下端面设置有风扇组，风扇组与置物架位置上下相对；所述的风扇组包括四个位于同一直线上的风扇(3)；所述的四个风扇(3)中，相邻的两个风扇(3)转向相反，且风向均为向下；所述的步骤a中，在扩散炉加热之前，向扩散炉中充满氩气；所述的横杆(1)上设置有一组等距离的定位槽(4)，定位槽(4)的内轮廓与石英舟的底部外轮廓相吻合；所述的步骤b中，快速降至室温时需要在15分钟之内降至25℃。