[发明专利]MEMS器件、MEMS温度传感器及各自的制作方法有效

专利信息
申请号: 201511005347.6 申请日: 2015-12-28
公开(公告)号: CN106918397B 公开(公告)日: 2019-09-27
发明(设计)人: 阮炯明;张冬平 申请(专利权)人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
主分类号: G01K5/48 分类号: G01K5/48;B81C1/00;B81B3/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 吴敏
地址: 201203 *** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种改进现有MEMS器件悬臂梁可靠性的MEMS器件及其制作方法,以及改进现有MEMS温度传感器工艺及结构的MEMS温度传感器及其制作方法。其中,对于MEMS器件,在悬臂梁的可动部与固定部的连接处增加折形结构,对该连接处进行加强,避免其折断。对于MEMS温度传感器,在悬臂梁可动部下表面或上表面设置与其热膨胀系数不同的应变片,使得测量过程中,悬臂梁可动部由于热膨胀系数与应变片不同而发生翘曲形变,悬臂梁可动部与固定电极之间电容发生变化,从而对温度进行探测。
搜索关键词: 悬臂梁 温度传感器 可动部 热膨胀系数 应变片 制作 部下表面 测量过程 固定电极 折形结构 电容 形变 固定部 上表面 折断 可动 翘曲 改进 探测
【主权项】:
1.一种MEMS器件的制作方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底具有分别适于与固定电极、悬臂梁连接的目标电连接区域;在所述基底表面形成第一材料层,所述第一材料层的部分区域用于形成固定电极,用于形成固定电极的该部分区域的第一材料层覆盖所述基底表面适于与固定电极连接的目标电连接区域;在所述第一材料层的上表面形成牺牲层;对所述牺牲层以及第一材料层进行图形化,以至少暴露出所述基底表面适于与悬臂梁连接的目标电连接区域;在所述牺牲层上表面、牺牲层与第一材料层侧壁表面以及暴露出的基底上表面形成第二材料层;对所述第二材料层进行图形化以形成折形结构,所述折形结构包括位于所述牺牲层上表面的水平部分以及位于所述第一材料层与牺牲层侧壁表面的竖直部分,所述水平部分暴露出部分区域的牺牲层上表面,所述竖直部分暴露出所述基底表面适于与悬臂梁连接的目标电连接区域;在所述暴露出的基底上表面、折形结构表面以及牺牲层上表面形成第三材料层,包覆所述折形结构竖直部分的第三材料层形成悬臂梁的固定部,所述固定部落于所述基底表面适于与悬臂梁连接的目标电连接区域;对包覆所述折形结构水平部分以及位于牺牲层上表面的第三材料层进行图形化,以形成悬臂梁的可动部;去除所述牺牲层,以释放悬臂梁的可动部。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201511005347.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top