[发明专利]一种宽波段探测的光电探测器

摘要

本发明公开了一种宽波段探测的光电探测器及其制备方法，光电探测器结构为半圆柱形，主要包括GaAlAs/GaAs光电阴极1、收集电子的阳极2、玻璃窗3、外壳4、封装底座5、电极6和引脚7、8；GaAlAs/GaAs光电阴极1结构自下而上是由n型GaAs衬底、Si3N4增透膜、Gax1Al1‑x1As缓冲层1、Gax2Al1‑x2As缓冲层2、p型GaAs发射层、Cs/O激活层组成；缓冲层分为Gax1Al1‑x1As缓冲层1和Gax2Al1‑x2As缓冲层2，分别采用梯度掺杂和指数掺杂方式，两个缓冲层都是的变Al组分的GaAlAs；该光电探测器的优点在于实现了宽波段、高精度、高灵敏度、快速响应的光电探测。

主权项

一种宽波段探测的光电探测器，包括GaAlAs/GaAs光电阴极（1）、收集电子的阳极（2）、玻璃窗（3）、外壳（4）、封装底座（5）、电极（6）和引脚（7、8），其特征在于：所述外壳（4）顶部有开口，所述封装底座（5）和外壳（4）封装抽真空形成密封腔体，所述GaAlAs/GaAs光电阴极（1）和收集电子的阳极（2）结构采用半圆柱面阴极型，所述收集电子的阳极（2）上方设有透明SiO2玻璃制成的玻璃窗（3），所述玻璃窗（3）在所述外壳（4）开口处与外壳（4）封接，所述电极（6）连接收集电子的阳极（2），所述引脚（7、8）连接GaAlAs/GaAs光电阴极（1），所述电极（6）和引脚（7、8）伸出于封装底座之外；所述GaAlAs/GaAs光电阴极（1）自下而上由n型GaAs衬底、Si3N4增透膜、第一Gax1Al1‑x1As缓冲层、第二Gax2Al1‑x2As缓冲层、p型GaAs发射层、Cs/O激活层组成；所述第一Gax1Al1‑x1As缓冲层选取P型掺杂的Gax1Al1‑x1As，掺杂元素为Zn，掺杂方式为梯度掺杂，x1的变化范围由0.39到0.49，掺杂层数m的变化范围是2~5，掺杂浓度从与Si3N4增透膜界面处的1.0×1015cm‑3变化到与第二Gax1Al1‑x1As缓冲层界面处的1.0×1017cm‑3，形成内建电场。