[发明专利]一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201511008671.3 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105551794B | 公开（公告）日： | 2017-10-10 |
| 发明（设计）人： | 周仁伟;刘学超;郑燕青;施尔畏 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | H01F41/22 | 分类号： | H01F41/22;H01F1/40;H01F10/193;C23C16/32;C23C16/56 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙)31261 | 代理人： | 曹芳玲,郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种SiC基稀磁半导体薄膜及其制备方法，所述方法以一定剂量的碳粒子12C+对SiC薄膜材料进行辐照，即制得SiC基稀磁半导体薄膜。通过本发明的方法处理后的SiC薄膜，薄膜具有明显的室温铁磁性，且其饱和磁化强度相较强，具有良好的潜在应用价值。本发明方法稳定有效，可以在不破坏材料的前提下制备出一种SiC基稀磁半导体薄膜材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 sic 基稀磁 半导体 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种制备SiC基稀磁半导体薄膜的方法，其特征在于，以辐照剂量为1×1013～1×1016 cm‑2、辐照能量为50～300KeV的碳粒子12C+对SiC薄膜材料进行辐照，即制得SiC基稀磁半导体薄膜；所述SiC基稀磁半导体薄膜中具有碳硅双空位，所述SiC基稀磁半导体薄膜具有室温铁磁性。
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