[发明专利]一种原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法

摘要

一种原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法，本发明涉及铜基电接触材料的制备方法。本发明要解决现有银基电接触复合材料价格高昂，性价比低的问题，用性能良好的铜基复合材料代替金属银时，存在石墨烯在铜中的分散不均匀、缺陷的问题。本发明的方法：将铜粉置于等离子体化学气相沉积真空装置中，通入氢气，并在高温下保温，再通入甲烷气体进行沉积，沉积结束后，停止通入甲烷气体，最后冷却至室温以下，得到石墨烯/铜复合粉末。本发明用于一种原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法。

主权项

一种原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法，其特征在于它是按照以下步骤进行的：一、将铜粉置于等离子体增强化学气相沉积真空装置中，抽真空后，以气体流量为30sccm通入氢气，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa，并在压强为200Pa和氢气气氛下，将温度升温至400℃～800℃，并在温度为400℃～800℃的条件下，退火保温15min～25min；二、通入甲烷气体及氩气，调节甲烷气体流量为1sccm～20sccm，调节氩气气体流量为100sccm，调节等离子体增强化学气相沉积真空装置中压强为200Pa～1000Pa，然后在射频功率为50W～200W、压强为200Pa～1000Pa和温度为400℃～800℃的条件下进行沉积，沉积时间为1min～5min，关闭射频电源和加热电源，冷却至室温，得完成一种原位生长石墨烯增强铜基电接触材料的制备方法。