[发明专利]碱性抛光液改善CMP中阻挡层表面粗糙度的应用在审
| 申请号： | 201511010094.1 | 申请日： | 2015-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN105647390A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 刘玉岭;郑环;潘国峰 | 申请（专利权）人： | 天津晶岭微电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02 |
| 代理公司： | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人： | 杨红 |
| 地址： | 300130 天津市滨海新*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碱性抛光液改善CMP中阻挡层表面粗糙度的应用，主要由复合磨料、FA/O Ⅱ螯合剂、FA/O Ⅰ表面活性剂和超纯水组成碱性抛光液，其特征是：所述FA/O Ⅰ表面活性剂具有的渗透能力特性，有效改善阻挡层表面粗糙度的应用。有益效果：本发明使用的碱性抛光液中的FA/O I表面活性剂具有较强的渗透能力，有利于抛光液将抛光产物输运出去；FA/O I表面活性剂分子利用润湿作用快速在片子表面铺展开，形成一层均匀致密的保护层；抛光液中FA/O I表面活性剂可以加快抛光产物的质量传递，使得晶片的阻挡层表面凸凹处的去除速率不同，有利于减小凹凸处高低差，降低表面粗糙度，实现了抛光表面平坦化。 | ||
| 搜索关键词： | 碱性 抛光 改善 cmp 阻挡 表面 粗糙 应用 | ||
【主权项】：
一种碱性抛光液改善CMP中阻挡层表面粗糙度的应用，主要由复合磨料、FA/OⅡ螯合剂、FA/OⅠ表面活性剂和超纯水组成碱性抛光液，其特征是：所述FA/OⅠ表面活性剂具有的渗透能力特性，有效改善阻挡层表面粗糙度的应用。
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