[发明专利]一种LED外延结构及制作方法有效
| 申请号： | 201511011151.8 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105428482B | 公开（公告）日： | 2018-09-11 |
| 发明（设计）人： | 杜成孝;郑建森;张洁;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED外延结构及制作方法，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、应力释放层、量子阱层以及第二导电类型半导体层，其中在所述应力释放层中插入一低温低Al组分的AlxGa1‑xN层，x取值范围为0.1%≤x≤1%，或者是所述应力释放层为InGaN、GaN、AlGaN组成的超晶格层，从而改善述应力释放层的应力释放能力，改善电压及Droop效应，并提升亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 外延 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构，从下至上依次包括：衬底、第一导电类型半导体层、应力释放层、量子阱层以及第二导电类型半导体层，其特征在于：所述应力释放层为GaN层或InGaN/GaN超晶格层，在所述应力释放层中插入一低Al组分的AlxGa1‑xN层，其中x取值范围为0.1%≤x<1%。
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