[发明专利]一种基片支撑台及其制造方法有效
| 申请号： | 201511012716.4 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106935529B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 左涛涛;吴狄;杜志游 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基片支撑台，包括：静电夹盘、加热器和基座，静电夹盘安装到加热器上方，加热器固定到基座上表面；其中所述基座内包括冷却液流通管道；所述加热器包括加热元件用于产生热量，还包括位于加热元件上方的上绝缘材料层和位于加热元件下方的下绝缘材料层，所述下绝缘材料层底面固定到所述基座上表面，其特征在于：所述下绝缘材料层厚度大于1mm，下绝缘材料层中包括至少一金属层将下绝缘材料层分隔为多个绝缘材料子层。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种基片支撑台，包括：静电夹盘、加热器和基座，静电夹盘安装到加热器上方，加热器固定到基座上表面；其中所述基座内包括冷却液流通管道；所述加热器包括加热元件用于产生热量，还包括位于加热元件上方的上绝缘材料层和位于加热元件下方的下绝缘材料层，所述下绝缘材料层底面固定到所述基座上表面，其特征在于：所述下绝缘材料层厚度大于1mm，下绝缘材料层中包括至少一金属层将下绝缘材料层分隔为多个绝缘材料子层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
