[发明专利]Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201511015761.5 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN106935701B | 公开（公告）日： | 2019-03-22 |
| 发明（设计）人： | 汪昌州;刘东方;张伟;杨康 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜、相变存储器及其制备方法，所述Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜包括Si薄膜及GeTe薄膜，所述Si薄膜与所述GeTe薄膜交替排列形成多层薄膜结构。通过磁控交替溅射方法将相变材料GeTe和非相变材料Si在纳米量级进行复合形成多层相变薄膜结构，由于热稳定性的Si材料存在，Si/GeTe纳米复合多层薄膜能有效的提高相变薄膜材料的结晶温度，拓宽了相变材料的温度适用范围。随着周期单元中Si层厚度的增加，纳米复合多层薄膜的结晶温度也随之增加，因此，可以通过对Si层和GeTe层厚度比的调控，调节Si/GeTe纳米复合多层薄膜的结晶温度，从而达到改善相变薄膜热稳定性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | si gete 纳米 复合 多层 相变 薄膜 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜，其特征在于，所述Si/GeTe纳米复合多层相变薄膜包括Si薄膜及GeTe薄膜，所述Si薄膜与所述GeTe薄膜交替排列形成多层薄膜结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海高等研究院，未经中国科学院上海高等研究院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201511015761.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种双加热式太阳能集热管
- 下一篇：一种简易式自驱动太阳能热水器
