[发明专利]通过螺旋位移放大结构测量逆挠曲电系数的装置及方法在审
申请号: | 201511017022.X | 申请日: | 2015-12-29 |
公开(公告)号: | CN105572173A | 公开(公告)日: | 2016-05-11 |
发明(设计)人: | 张舒文;徐明龙;刘开园;申胜平;王铁军;田征;吴成松;邵妍 | 申请(专利权)人: | 西安交通大学 |
主分类号: | G01N27/00 | 分类号: | G01N27/00 |
代理公司: | 西安智大知识产权代理事务所 61215 | 代理人: | 何会侠 |
地址: | 710049*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 通过螺旋位移放大结构测量逆挠曲电系数的装置及方法,该装置包括螺旋状的挠曲电材料,分别位于挠曲电材料内、外弧面的内电极与外电极、位于挠曲电材料下端部的反光膜,位于挠曲电材料上端部与挠曲电材料固定的固定杆;信号源输出控制信号并送入高压电源,内、外电极与高压电源相电连接,高压电源向内、外电极输出高压电源,通电后材料由于逆挠曲电效应,产生微小形变,材料的螺旋机构放大了形变幅值并在位于挠曲电材料下端部产生位移的输出;激光位移计射出测量光源与位于挠曲电材料下端部的反光膜相对放置,材料形变时便可测量形变量,结合材料结构、力电参数和形变量,便可计算出挠曲电材料的逆挠曲电系数。 | ||
搜索关键词: | 通过 螺旋 位移 放大 结构 测量 挠曲 系数 装置 方法 | ||
【主权项】:
通过螺旋位移放大结构测量逆挠曲电系数的装置,其特征在于:包括螺旋状结构的挠曲电材料(1),位于挠曲电材料(1)外弧面的外电极(2)和内弧面的内电极(3),位于挠曲电材料(1)下端部的反光膜(4),固定杆(5)与挠曲电材料(1)的上端部相固定,外电极(2)和内电极(3)与高压电源(7)输出端电连接,高压电源(7)输入端与信号源(6)的输出端电连接;还包括激光位移计(8),激光位移计(8)射出的测量光源与反光膜(4)相对以测量反光膜的相对位移变化。
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