[发明专利]一种可校正IQ失配的混频器电路

摘要

本发明公开了一种可校正IQ失配的混频器电路，其特征在于所述混频器电路包括：I路信号通道上的第一级混频器电路，Q路信号通道上的第二级混频器电路，以及分别给第一级混频器电路与第二级混频器电路提供直流偏置的偏置电路。本发明在传统混频器基础上，仅通过改变混频器开关导通特性，实现对IQ失配的校正，因此本发明的混频器电路具有结构简单的优点；本发明不含额外的校正级电路，因此具有不增加额外功耗，不增加额外噪声的优点；本发明是在传统混频器原有开关宽长比下，取出一部分宽长比用作调节，因此对于每个开关来说，其总的宽长比与传统混频器开关宽长比一样，不产生额外的寄生电容。

主权项

1.一种可校正IQ失配的混频器电路，其特征在于所述混频器电路包括：I路信号通道上的第一级混频器电路，Q路信号通道上的第二级混频器电路，以及分别给第一级混频器电路与第二级混频器电路提供直流偏置的偏置电路；所述第一级混频器电路，射频输入信号高电平为VRFIP,射频输入信号低电平为VRFIN；本振输入信号高电平为VLOIP,本振输入信号低电平为VLOIN；直流偏置输入信号为VBI；中频输出信号高电平为VIFIP,中频输出信号低电平为VIFIN；所述第二级混频器电路，射频输入信号高电平为VRFIP,射频输入信号低电平为VRFIN；本振输入信号高电平为VLOQP,本振输入信号低电平为VLOQN；直流偏置输入信号为VBQ；中频输出信号高电平为VIFQP,中频输出信号低电平为VIFQN；所述的第一级混频器电路和第二级混频器电路，高电平输入电容CP的两端分别与射频输入信号高电平VRFIP和第一晶体管M1、第二晶体管M2、第五晶体管M5、第六晶体管M6的漏端相连，低电平输入电容CN的两端分别与射频输入信号低电平VRFIN和第三晶体管M3、第四晶体管M4、第七晶体管M7、第八晶体管M8的漏端相连；第一级混频器电路本振输入信号高电平VLOIP通过第一电容C1和第一电阻R1组成的耦合电路与第一晶体管M1、第四晶体管M4的栅极相连，第一级混频器电路本振输入信号低电平VLOIN通过第二电容C2和第二电阻R2组成的耦合电路与第二晶体管M2、第三晶体管M3的栅极相连；第二级混频器电路本振输入信号高电平VLOQP通过第三电容C3和第三电阻R3组成的耦合电路与第五晶体管M5、第八晶体管M8的栅极相连，第二级混频器电路本振输入信号低电平VLOQN通过第四电容C4和第四电阻R4组成的耦合电路与第六晶体管M6、第七晶体管M7的栅极相连；第一级混频器电路中频输出信号高电平VIFIP与第一晶体管M1、第三晶体管M3的源端相连，第一级混频器电路中频输出信号低电平VIFIN与第二晶体管M2、第四晶体管M4的源端相连；第二级混频器电路中频输出信号高电平VIFQP与第五晶体管M5、第七晶体管M7的源端相连，第二级混频器电路中频输出信号低电平VIFQN与第六晶体管M6、第八晶体管M8的源端相连；所述第一级混频器电路与第二级混频器电路提供直流偏置的偏置电路为：电流源IBI与电阻RBI产生的参考电压VBI<5>，分别通过开关SWHI<1-4>连接至VBI<1-4>，参考地通过开关SWLI<1-4>连接至VBI<1-4>；电流源IBQ与电阻RBQ产生的参考电压VBQ<5>，分别通过开关SWHQ<1-4>连接至VBQ<1-4>，参考地通过开关SWLQ<1-4>连接至VBQ<1-4>；直流偏置电压VBI<1-4>、VBQ<1-4>在参考电压VBI<5>、VBQ<5>与参考地之间切换，实现开关的选通功能；最终通过混频器I路晶体管阵列与混频器Q路晶体管阵列的差异化导通，来实现混频器I路与Q路失配的校正。