[发明专利]一种带直流故障清除的模块化多电平变流模块电路在审

专利信息
申请号: 201511017506.4 申请日: 2015-12-29
公开(公告)号: CN105490525A 公开(公告)日: 2016-04-13
发明(设计)人: 刘文华;刘志超;刘树 申请(专利权)人: 北京四方继保自动化股份有限公司;刘文华
主分类号: H02M3/07 分类号: H02M3/07;H02M1/34
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 罗文群
地址: 100085 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及带直流故障清除的模块化多电平变流模块电路,属于电气自动化设备领域。包括第一、第二直流电容器,第一、第二、第三、第四、第五半导体开关,第一、第二、第三保护可控硅,第一、第二、第三、第四、第五和第六续流二极管,阻容吸收电路,均压电阻,第一和第二充电二极管,以及第一和第二限流电阻。本发明的带直流故障清除的模块化多电平变流模块电路,可以使用成本较低的可控硅器件来实现直流短路电流的清除,降低变流器整体成本并降低运行损耗。基于本发明的带直流故障清除的模块化多电平变流模块电路可以应用于柔性直流输电(VSC-HVDC)、静止同步补偿器(STATCOM),等等。
搜索关键词: 一种 直流 故障 清除 模块化 电平 模块 电路
【主权项】:
一种带直流故障清除的模块化多电平变流模块电路,其特征在于该模块化多电平变流模块电路包括第一直流电容器C1、第二直流电容器C2、第一半导体开关S1、第二半导体开关S2、第三半导体开关S3、第四半导体开关S4、第五半导体开关S5、第一保护可控硅S6、第二保护可控硅S7、第三保护可控硅S8、第一续流二极管D1、第二续流二极管D2、第三续流二极管D3、第四续流二极管D4、第五续流二极管D5、第六续流二极管D6、阻容吸收电路CS/RS、均压电阻RJ、第一充电二极管D9、第二充电二极管D10、第一限流电阻RL1及第二限流电阻RL2;所述的第一半导体开关S1、第二半导体开关S2、第三半导体开关S3、第四半导体开关S4和第五半导体开关S5的集电极分别与所述的第一续流二极管D1、第二续流二极管D2、第三续流二极管D3、第四续流二极管D4和第五续流二极管D5的阴极相连接,所述的第一半导体开关S1、第二半导体开关S2、第三半导体开关S3、第四半导体开关S4和第五半导体开关S5的发射极分别与所述的第一续流二极管D1、第二续流二极管D2、第三续流二极管D3、第四续流二极管D4和第五续流二极管D5的阳极相连接;所述的第一保护可控硅S6的阳极与所述的第六续流二极管D6的阴极相连接;所述的第一保护可控硅S6的阴极与所述的第六续流二极管D6的阳极相连接,所述的第一半导体开关S1的发射极与第二半导体开关S2的集电极相连接后作为带直流故障清除的模块化多电平变流模块电路的正极端,所述的第三半导体开关S3的发射极与所述的第四半导体开关S4的集电极相连接后作为带直流故障清除的模块化多电平变流模块电路的负极端;所述的第一直流电容器C1的正极端与所述的第一半导体开关S1的集电极相连接,第一直流电容器C1的负极端同时与第二半导体开关S2的发射极、第五半导体开关S5的发射极以及第一保护可控硅S6的阴极相连接;所述的第二直流电容器C2的正极端与第三半导体开关S3的集电极、第五半导体开关S5的集电极以及第一保护可控硅S6的阳极相连接,第二直流电容器C2的负极端与第四半导体开关S4的发射极相连接;所述的阻容吸收电路CS/RS和所述的均压电阻RJ分别并联于第五半导体开关S5的集电极和发射极,所述的第一充电二极管D9的阳极连接到第一限流电阻RL1的一端,第一限流电阻RL1的另一端连接到第五半导体开关S5的集电极,第一充电二极管D9的阴极连接到第一半导体开关S1的集电极;所述的第二充电二极管D10的阴极连接到所述的第五半导体开关S5的发射极,第二充电二极管D10的阳极连接到第二限流电阻RL2的一端,所述的第二限流电阻RL2的另一端连接到所述的第四半导体开关S4的发射极;所述的第二保护可控硅S7的阴极与所述的第二半导体开关S2的集电极相连接,第二保护可控硅S7的阳极与第二半导体开关S2的发射极相连接;所述的第三保护可控硅S8的阴极与所述的第三半导体开关S3的集电极相连接,第三保护可控硅S8的阳极与第三半导体开关S3的发射极相连接。
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