[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201511017559.6 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106241727B | 公开（公告）日： | 2018-12-07 |
| 发明（设计）人： | 张仪贤;郑钧文;郑创仁;林诗玮;沈维晟 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体结构，包括第一器件和第二器件。第一器件包括：板，包括多个孔；隔膜，设置为与板相对并且包括面向多个孔的多个波形件；以及导电塞，从板延伸穿过隔膜。第二器件包括衬底和设置在衬底上方的接合焊盘，其中导电塞与接合焊盘接合，以将第一器件与第二器件集成，并且板是外延(EPI)硅层或绝缘体上硅(SOI)衬底。本发明还提供了半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：第一器件，包括：板，包括多个孔；隔膜，设置为与所述板相对，并且包括面向所述多个孔的多个波形件；和导电塞，从所述板延伸穿过所述隔膜；以及第二器件，包括：衬底；和接合焊盘，设置在所述衬底上方，其中，所述导电塞与所述接合焊盘接合，以将所述第一器件与所述第二器件集成，并且所述板是外延(EPI)硅层或绝缘体上硅(SOI)衬底。
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