[发明专利]一种具有低触发电压的静电放电保护器件

摘要

一种具有低触发电压的静电放电保护器件，包括：P型衬底，在P型衬底上设有P型外延，在P型外延上设有N型漂移区，在N型漂移区内设有N型漏区、浅槽隔离区和第一场氧化层，在P型外延上还设有栅氧化层、N型源区、P型体区，在栅氧化层上设有多晶硅栅，在N型漏区、多晶硅栅、N型源区和P型体区的上表面分别设有穿通钝化层的漏极金属接触、栅极金属接触、源极金属接触和体区金属接触。其特征在于，在所述的N型源区和P型体区之间设有深槽隔离区和片状场氧化层构成的隔离且所述深槽隔离区与片状场氧化层呈间隔排布。本发明可以降低器件的触发电压，提高二次击穿电流，增强器件在ESD过程中的鲁棒性。

主权项

1.一种具有低触发电压的静电放电保护器件，包括：P型衬底(1)，在P型衬底(1)的上方设有P型外延(2)，在P型外延(2)的上方设有N型漂移区(3)，在N型漂移区(3)内设有N型漏区(6)、浅槽隔离区(4)和第一场氧化层(5)，在P型外延(2)的上方还设有栅氧化层(10)、N型源区(15)、P型体区(14)，在栅氧化层(10)的上方设有多晶硅栅(11)，在N型漏区(6)、多晶硅栅(11)、N型源区(15)和P型体区(14)的上表面分别设有穿通钝化层(8)的漏极金属接触(7)、栅极金属接触(9)、源极金属接触(12)和体区金属接触(13)，其特征在于，在所述的N型源区(15)和P型体区(14)之间设有深槽隔离区(17)和片状场氧化层(16)构成的隔离且所述深槽隔离区(17)与片状场氧化层(16)呈间隔排布，所述的片状场氧化层(16)和深槽隔离区(17)与N型源区(15)的相邻边界相切，片状场氧化层(16)和深槽隔离区(17)与P型体区(14)的相邻边界相切。