[发明专利]一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器

摘要

一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器，包括从下至上依次为衬底、下包层、有源区、第一上包层、腐蚀阻挡层、第二上包层和欧姆接触层；其特征在于，所述腐蚀阻挡层为从下至上依次排列的(Al_aGa_1‑a)_0.5In_0.5P、Ga_bIn_1‑bP及(Al_aGa_1‑a)_0.5In_0.5P三层结构，每层厚度的范围5‑15nm，其中，a取值为0.1‑0.5，b取值为0.5‑0.7；所述有源区为从下至上依次排列的(Al_xGa_1‑x)_0.5In_0.5P势垒层、Ga_yIn_1‑yP量子阱及(Al_xGa_1‑x)_0.5In_0.5P势垒层，其中，x取值为0.4‑0.6，y取值为0.4‑0.6；且b、y取值满足条件：b＞y。本发明在进行杂质诱导量子阱混杂形成非吸收窗口时，所述腐蚀阻挡层可以降低Al、Ga原子互扩散程度，提高腐蚀阻挡层与第二上包层的腐蚀选择比。制作脊型波导结构时，腐蚀面平整，光输出模式稳定。

主权项

1.一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器，包括从下至上依次为衬底、下包层、有源区、第一上包层、腐蚀阻挡层、第二上包层和欧姆接触层；其特征在于，所述腐蚀阻挡层为从下至上依次排列的(Al_aGa_1‑a)_0.5In_0.5P、Ga_bIn_1‑bP及(Al_aGa_1‑a)_0.5In_0.5P三层结构，每层厚度的范围5‑15nm，其中，a取值为0.1‑0.5，b取值为0.5‑0.7；所述有源区为从下至上依次排列的(Al_xGa_1‑x)_0.5In_0.5P势垒层、Ga_yIn_1‑yP量子阱及(Al_xGa_1‑x)_0.5In_0.5P势垒层，其中，x取值为0.4‑0.6，y取值为0.4‑0.6；且b、y取值满足条件：b＞y；所述第二上包层及欧姆接触层构成脊型结构，在所述第二上包层未覆盖欧姆接触层的部分、第二上包层的侧面及裸露的腐蚀阻挡层上方分别包覆有介质膜；在所述欧姆接触层上方包覆接触设置有第一金属电极层，在所述衬底下方设置有第二金属电极层；在所述AlGaInP半导体激光器的前后两个端面设置有非吸收窗口。