[发明专利]一种铝合金表面等离子体扩渗强化的方法有效

专利信息
申请号: 201511019701.0 申请日: 2015-12-29
公开(公告)号: CN105568211B 公开(公告)日: 2018-09-07
发明(设计)人: 闫牧夫;章凡勇;王祎雪;张雁祥 申请(专利权)人: 哈尔滨工业大学
主分类号: C23C8/36 分类号: C23C8/36;C23C8/02
代理公司: 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人: 侯静
地址: 150001 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要: 一种铝合金表面等离子体扩渗强化的方法,本发明涉及表面等离子体扩渗强化的方法。本发明要解决现有铝合金表面硬度低,耐磨性差的问题。方法:一、铝合金表面预处理;二、铝合金表面预置扩渗合金元素;三、等离子体扩渗,即完成一种铝合金表面等离子体扩渗强化的方法。本发明用于铝合金表面等离子体扩渗强化的方法。
搜索关键词: 一种 铝合金 表面 等离子体 强化 方法
【主权项】:
1.一种铝合金表面等离子体扩渗强化的方法,其特征在于它是按照以下步骤进行的:一、铝合金表面预处理:利用金相砂纸对铝合金表面打磨和抛光,然后依次置于蒸馏水和丙酮中超声波清洗10min~30min,取出后吹干,得到预处理后的铝合金;二、铝合金表面预置扩渗合金元素:将预处理后的铝合金放置于磁控溅射炉中,调节靶材和预处理后的铝合金之间的距离为80mm~120mm,将磁控溅射炉炉腔抽真空至低于3×10‑5Torr,向磁控溅射炉中通入气流量为14sccm~20sccm的氩气,调节Ti靶功率为0.08kW~0.1kW,调节基底偏压为200V~400V,然后在Ti靶功率为0.08kW~0.1kW及基底偏压为200V~400V的条件下,保持20min~40min,再将Ti靶功率调节至3kW,基底偏压调节至50V~200V,然后在Ti靶功率为3kW及基底偏压为50V~400V的条件下,溅射沉积0.5h~2h,得到镀Ti层的铝合金;三、等离子体扩渗:将镀Ti层的铝合金置于等离子体渗氮炉中,抽真空至低于5Pa,调节电压为450V~700V,在电压为450V~700V的条件下,离子轰击清洗镀Ti层的铝合金表面10min~20min,然后将清洗后的Ti层的铝合金加热至温度为460℃~490℃,以气体流量为0.3sccm~0.8sccm通入含氮气体,保持等离子体渗氮炉炉压为150Pa~350Pa,然后在温度为460℃~490℃及压力为150Pa~350Pa的条件下,保温32h,保温结束后,在氮气气氛下,冷却至室温,即完成铝合金表面等离子体扩渗强化的方法;所得的含氮气体为氮气与氢气的混合气体;所述的氮气与氢气的混合气体=1:1;在铝合金表面得到的改性层的厚度为10μm~25μm,硬度达到439HV,摩擦系数为0.35~0.45。
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