[发明专利]单纵模且波长可调谐的多段式FP激光器有效
申请号: | 201511019962.2 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105428997B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 潘碧玮;赵玲娟;陆丹;张莉萌 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01S5/06 | 分类号: | H01S5/06;H01S5/343;H01S5/22 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 宋焰琴 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种单纵模且波长可调谐的多段式FP激光器,包括:衬底和沿着所述衬底外延方向依次制作的外延层,其中在所述外延层的部分区域从p型接触层向下刻蚀至p型盖层,形成一中间高、两边低的脊型波导结构,所述脊型波导中的p型接触层上形成有一隔离沟;TiAu电极制作于所述脊型波导上方,覆盖整个凸起的脊型波导,该TiAu电极在所述隔离沟处整体断开,分为两段电极。本发明的多段式FP激光器采用复合腔选模机制,无需光栅制作就可实现单纵模且波长可调谐的激光输出,降低了工艺的复杂性,同时保证了成品率和出光功率。 | ||
搜索关键词: | 单纵模 波长 调谐 段式 fp 激光器 | ||
【主权项】:
一种单纵模且波长可调谐的多段式法布里‑珀罗激光器,包括衬底和沿着所述衬底外延方向依次制作的外延层,其特征在于:在所述外延层的部分区域从p型盖层向下刻蚀至p型接触层下表面,形成一中间高、两边低的脊型波导结构,其中所述脊型波导中的p型接触层上形成有一隔离沟;TiAu电极,其制作于所述脊型波导上方,覆盖整个凸起脊型波导,所述TiAu电极在所述隔离沟处整体断开,分为两段电极;下电极,其制作于所述衬底下方。
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