[发明专利]一种硅晶圆的激光剥离方法有效
| 申请号： | 201511020496.X | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105436710B | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 王焱华;陈治贤;陈红;庄昌辉;马国东;高昆;尹建刚;高云峰 | 申请（专利权）人： | 大族激光科技产业集团股份有限公司 |
| 主分类号： | B23K26/36 | 分类号： | B23K26/36;H01L31/18 |
| 代理公司： | 深圳市道臻知识产权代理有限公司 44360 | 代理人： | 陈琳 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明适用于激光加工领域，提供了一种硅晶圆的激光剥离方法，通过先在硅晶圆的内部形成一系列的炸点，然后在低温条件下沿相反的方向拉扯炸点所在平面两侧的硅晶圆，使得硅晶圆沿炸点分离，且由于在低温条件下，硅晶圆可更好的按照若干炸点形成的平面方向分离，不容易在其他方向上产生新的裂纹，最终实现了硅晶圆的无缝分离，分离后的硅晶圆表面平整，均匀，加工良率高，可适用于批量生产。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 硅晶圆 激光 剥离 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅晶圆的激光剥离方法，其特征在于，所述激光剥离方法包括：激光聚焦在硅晶圆内部的某一平面形成若干个炸点，该平面与激光射出方向相互垂直；其中，所述激光为线偏振光，偏振比大于50:1，所述硅晶圆内部的某一平面平行于所述硅晶圆的上下两个表面；所述硅晶圆的厚度为0.1‑2mm，若干个炸点之间的间距均为1‑20μm；所述激光在所述硅晶圆内部形成的单个炸点的能量为0.1‑100μj，大小为0.1‑10μm；硅晶圆的上下两个表面分别粘连基板；然后通过沿相反方向拉伸两个所述基板，将硅晶圆分离成两片；在低温条件下，沿相反方向拉伸硅晶圆的上下两个表面，将硅晶圆分离成两片，并对两片硅晶圆进行清洗。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大族激光科技产业集团股份有限公司，未经大族激光科技产业集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201511020496.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
