[发明专利]一种整流器及其制作方法在审
| 申请号： | 201511020701.2 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106935637A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 周东飞;钟圣荣 | 申请（专利权）人： | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人： | 孟金喆,胡彬 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种整流器及其制作方法，该整流器的制作方法包括在外延层内形成多个第一导电类型源区，并在所述第一导电类型源区内形成沟槽；依次形成第一栅氧化层和第一掺杂多晶硅；刻蚀所述第一掺杂多晶硅，且残留所述第一掺杂多晶硅覆盖所述沟槽底部的所述第一栅氧化层；刻蚀未被所述第一掺杂多晶硅覆盖的所述第一栅氧化层以及隔离氧化层，且残留所述第一栅氧化层覆盖所述沟槽底部以及所述沟槽底部与所述沟槽侧壁的拐角处；依次形成覆盖所述沟槽侧壁的第二栅氧化层以及填充所述沟槽的第二掺杂多晶硅；其中，所述第二栅氧化层的厚度小于所述第一栅氧化层的厚度。本发明在不增大正向导通压降的同时，使得整流器底部与侧壁之间拐角处的栅氧化层的耐压能力增强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 整流器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种整流器的制作方法，其特征在于，包括：在第一导电类型半导体衬底上依次形成外延层和隔离氧化层；在所述外延层内形成多个第一导电类型源区，并在每个所述第一导电类型源区内形成一沟槽，所述沟槽贯穿所述第一导电类型源区并延伸至所述外延层内部；依次形成第一栅氧化层和第一掺杂多晶硅，所述第一栅氧化层覆盖所述沟槽侧壁和底部，所述第一掺杂多晶硅填充所述沟槽；刻蚀所述第一掺杂多晶硅，且残留所述第一掺杂多晶硅覆盖所述沟槽底部的所述第一栅氧化层；刻蚀未被所述第一掺杂多晶硅覆盖的所述第一栅氧化层以及隔离氧化层，且残留所述第一栅氧化层覆盖所述沟槽底部以及所述沟槽底部与所述沟槽侧壁的拐角处；依次形成覆盖所述沟槽侧壁的第二栅氧化层以及填充所述沟槽的第二掺杂多晶硅；依次去除所述沟槽周围区域的所述第二掺杂多晶硅、所述第二栅氧化层，以及所述隔离氧化层；在所述外延层内的所述沟槽周围形成第二导电类型体区；在所述第二导电类型体区、所述沟槽上方形成第一电极，在所述第一导电类型半导体衬底远离所述外延层一侧形成第二电极；其中，所述第二栅氧化层的厚度小于所述第一栅氧化层的厚度，所述第一导电类型和所述第二导电类型相反。
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