[发明专利]以定向自组装形成通孔及接触结构的制造集成电路的方法有效
| 申请号： | 201511020867.4 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105742236B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | A·拉特波夫;J·徐 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明揭露以定向自组装形成通孔及接触结构的制造集成电路的方法。一种示例方法包括确定定向自组装(directed self‑assembly；DSA)期间在嵌段共聚物(block copolymer；BCP)材料中形成的圆柱体之间的自然六角间隔距离L0以及依据公式PA＝L0*(sqrt(3)/2)*n确定集成电路特征间距PA，其中n为正整数。该方法还包括产生较佳地适应聚合物圆柱体的自然形成排列的集成电路布局设计，其中，集成电路特征是依据该集成电路特征间距PA而隔开，以及其中，通孔或接触结构与该集成电路特征实体连接及电性连接；以及依据该集成电路布局设计在半导体在制品(work‑in process；WIP)上制造该集成电路特征以及该通孔或接触结构，其中，该通孔或接触结构是使用BCP材料的定向自组装而制造。 | ||
| 搜索关键词： | 定向 组装 形成 接触 结构 制造 集成电路 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制造集成电路的方法，包括：确定定向自组装期间在嵌段共聚物材料中形成的圆柱体之间的自然六角间隔距离L0；依据公式PA＝L0*(sqrt(3)/2)*n确定集成电路特征间距PA，其中，n为正整数；产生集成电路布局设计，其中，集成电路特征依据该集成电路特征间距PA而隔开，以及其中，通孔或接触结构与该集成电路特征实体连接及电性连接；以及依据该集成电路布局设计在半导体半成品上制造该集成电路特征以及该通孔或接触结构，其中，该通孔或接触结构使用该嵌段共聚物材料的定向自组装而制造。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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