[发明专利]一种氧化镓薄膜的制备方法在审
申请号: | 201511021600.7 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN105624782A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 王晓峰;李丽娟;霍自强;王军喜;李晋闽;曾一平 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | C30B29/16 | 分类号: | C30B29/16;C30B25/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 任岩 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种氧化镓薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤1,将镓源放入反应舟内,反应舟放入石英反应管内;步骤2,将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上,放入石英反应管内;步骤3,打开镓源气路,让惰性气体通过反应舟进入石英反应管,反应舟的出口正对衬底表面;步骤4,打开氧源气路,让惰性气体携带氧源进入石英反应管;步骤5,加热石英反应管;加热石英反应管内的反应舟和衬底;步骤6,调节反应舟和衬底的工作温度,设定生长时间,在衬底上沉积氧化镓薄膜,完成制备。利用本发明的方法,可以采用工业原料镓和碘作为原材料,选用商品化的蓝宝石和硅作为衬底,在常压条件下制备氧化镓薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 氧化 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种氧化镓薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,将镓源放入反应舟内,反应舟放入石英反应管内;步骤2,将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上,放入石英反应管内;步骤3,打开镓源气路,让惰性气体通过反应舟进入石英反应管,反应舟的出口正对衬底表面;步骤4,打开氧源气路,让惰性气体携带氧源进入石英反应管;步骤5,加热石英反应管;加热石英反应管内的反应舟和衬底;步骤6,调节反应舟和衬底的工作温度,设定生长时间,在衬底上沉积氧化镓薄膜,完成制备。
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