[发明专利]一种氧化镓薄膜的制备方法在审

专利信息
申请号: 201511021600.7 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN105624782A 公开(公告)日: 2016-06-01
发明(设计)人: 王晓峰;李丽娟;霍自强;王军喜;李晋闽;曾一平 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: C30B29/16 分类号: C30B29/16;C30B25/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明公开了一种氧化镓薄膜的制备方法,包括如下步骤:步骤1,将镓源放入反应舟内,反应舟放入石英反应管内;步骤2,将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上,放入石英反应管内;步骤3,打开镓源气路,让惰性气体通过反应舟进入石英反应管,反应舟的出口正对衬底表面;步骤4,打开氧源气路,让惰性气体携带氧源进入石英反应管;步骤5,加热石英反应管;加热石英反应管内的反应舟和衬底;步骤6,调节反应舟和衬底的工作温度,设定生长时间,在衬底上沉积氧化镓薄膜,完成制备。利用本发明的方法,可以采用工业原料镓和碘作为原材料,选用商品化的蓝宝石和硅作为衬底,在常压条件下制备氧化镓薄膜。
搜索关键词: 一种 氧化 薄膜 制备 方法
【主权项】:
一种氧化镓薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:步骤1,将镓源放入反应舟内,反应舟放入石英反应管内;步骤2,将清洗、吹干后的衬底放在衬底托上,放入石英反应管内;步骤3,打开镓源气路,让惰性气体通过反应舟进入石英反应管,反应舟的出口正对衬底表面;步骤4,打开氧源气路,让惰性气体携带氧源进入石英反应管;步骤5,加热石英反应管;加热石英反应管内的反应舟和衬底;步骤6,调节反应舟和衬底的工作温度,设定生长时间,在衬底上沉积氧化镓薄膜,完成制备。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201511021600.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top