[发明专利]PERC太阳能电池及其制备方法在审
申请号: | 201511023431.0 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105470349A | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 蒋建宝;李科伟 | 申请(专利权)人: | 无锡赛晶太阳能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 江苏圣典律师事务所 32237 | 代理人: | 贺翔 |
地址: | 214251 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开一种PERC太阳能电池及其制备方法,其中PERC太阳能电池包括硅片、位于硅片上表面的二氧化硅层和银层、位于二氧化硅层上表面的正面氮化硅钝化层、位于硅片下表面的氧化铝钝化层、位于氧化铝钝化层下表面的背面氮化硅钝化层,在背面氮化硅钝化层上间隔开设有若干个开孔,在开孔中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金的铝层。本发明在背面氮化硅钝化层上通过激光开孔方式开孔,孔的深度控制在打穿背面氮化硅钝化层而不打穿氧化铝钝化层,然后印刷铝浆,通过烧结工艺,铝浆腐蚀掉氧化铝钝化层后与硅片形成铝硅合金。本发明在正面氮化硅钝化层与硅片之间制备了二氧化硅层,能够有效的解决PERC太阳能电池电位诱导衰减问题。 | ||
搜索关键词: | perc 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种PERC太阳能电池,其特征在于:包括硅片(1)、位于硅片(1)上表面的二氧化硅层(2)和银层(3)、位于二氧化硅层(2)上表面的正面氮化硅钝化层(4)、位于硅片(1)下表面的氧化铝钝化层(5)、位于氧化铝钝化层(5)下表面的背面氮化硅钝化层(6),在背面氮化硅钝化层(6)上间隔开设有若干个开孔(7),在开孔(7)中填充有腐蚀掉氧化铝钝化层(5)后与硅片(1)形成铝硅合金的铝层(8)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的