[发明专利]高调制发光二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201511023589.8 | 申请日： | 2015-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN105655454A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 尹以安;郭德霄;范广涵 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L33/04 | 分类号： | H01L33/04;H01L33/22;H01L33/00;H01L27/15;H01L21/77 |
| 代理公司： | 广州圣理华知识产权代理有限公司 44302 | 代理人： | 顿海舟;王建良 |
| 地址： | 510631 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
本发明提供一种高调制的发光二极管及其制备方法。所述高调制发光晶体管包括发光二极管芯片，发光二极管芯片包括衬底、发光外延结构、集电极、基极及发射极，发光外延结构设于衬底之上，发光外延结构依次包括第一N型半导体层、第一P型半导体层、量子阱层、第二P型半导体层、第二N型半导体层及导电层，所述第一P型半导体层包括P型铝镓氮电子阻挡层、P型接触层及P型铟镓氮层，量子阱层为未掺杂的In |
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| 搜索关键词： | 调制 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种高调制发光二极管，其特征在于，包括发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、发光外延结构、集电极、基极及发射极，所述发光外延结构包括依次叠设的第一N型半导体层、第一P型半导体层、量子阱层、第二P型半导体层、第二N型半导体层及导电层，所述第一N型半导体层叠设于所述衬底的外延生长面上，所述第一P型半导体层包括P型铝镓氮电子阻挡层、P型铟镓氮层及夹设于所述P型铝镓氮电子阻挡层和P型铟镓氮层之间的P型接触层，所述P型铝镓氮电子阻挡层叠设于所述第一N型半导体层上，所述量子阱层为未掺杂的In0.2 Ga0.8 N/In0.05 Ga0.95 N/GaN量子阱层，所述集电极设于所述第一N型半导体层，所述基极设于所述P型接触层，所述发射极设于所述导电层。
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