[发明专利]一种砷化镓基双异质结双极晶体管结构及制备方法在审
| 申请号： | 201511024119.3 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105633138A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 艾立鹍;徐安怀;齐鸣;周书星 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种砷化镓基双异质结双极晶体管结构及制备方法。其特征在于所述的结构依次由半绝缘单抛的GaAs衬底、缓冲层、集电区、高掺集电区、隔离层、基区、隔离层、发射区、盖层、渐变盖层和盖层组成。本发明的创新点在于为了解决铍(Be)作为基区P型掺杂剂在高温时扩散的问题，在结构设计上采用了在基区两侧各插入一层GaAs隔离(Spacer)层的，从而限制Be在高温时的扩散。减少基区厚度虽然会提高器件的频率特性，但是容易击穿。经综合比较选区基区材料设计为60nm的优化设计。在掺杂方面，高的掺杂浓度会提高频率，但是同样会降低击穿电压，经比较，基区掺杂浓度为3E19/cm3的优化设计。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 砷化镓基双异质结 双极晶体管 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种砷化镓基双异质结双极晶体管设计的结构，其特征在于所述的结构依次由半绝缘单抛的GaAs衬底、缓冲层、集电区、高掺集电区、隔离层、基区、隔离层、发射区、盖层、渐变盖层和盖层组成；其中，①在GaAs基DHBT材料体系选择上，利用GaAs基III‑V族化合物半导体及其组成的三元混晶材料，通过调节组份组成的方法调节禁带宽度和晶格常数，在DHBT设计中采用与GaAs材料晶格匹配的InGaP作为集电区和发射区材料，GaAs作为基区材料；②在结构设计上采用了在基区两侧各插入一层GaAs隔离Spacer层，以解决铍作为基区P型掺杂剂在高温时的扩散。
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