[发明专利]用于表面贴装器件内部结构解剖的腐蚀液及解剖工艺在审
| 申请号： | 201511024525.X | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105632948A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 蒋振荣;李勇昌;彭顺刚;黄湖江;朱金华 | 申请（专利权）人： | 桂林斯壮微电子有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56 |
| 代理公司： | 桂林市持衡专利商标事务所有限公司 45107 | 代理人： | 唐智芳 |
| 地址： | 541004 广西壮族自*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于表面贴装器件内部结构解剖的腐蚀液及解剖工艺。所述的腐蚀液由发烟硝酸和浓硫酸按4～5：1～2的体积比配制而成。采用该腐蚀液对表面贴装器件内部结构解剖的工艺，包括：将腐蚀液加热至60～90℃，然后将表面贴装器件置于其中浸渍，每隔一定时间取出表面贴装器件进行观察，直至表面贴装器件管体密封塑封体被腐蚀，取出表面贴装器件，洗净，即可。本发明采用发烟硝酸和浓硫酸以特殊配比制得的腐蚀液去除表面贴装器件管体密封塑封体，在较低的温度下可以快速的去除塑封体，且不会对器件内部结构产生任何影响。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 表面 器件 内部结构 解剖 腐蚀 工艺 | ||
【主权项】：
用于表面贴装器件内部结构解剖的腐蚀液，其特征在于：该腐蚀液由发烟硝酸和浓硫酸按4～5：1～2的体积比配制而成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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