[发明专利]一种d10过渡金属炔化物二维纳米片及其制备方法有效
申请号: | 201511024677.X | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN106928257B | 公开(公告)日: | 2019-02-26 |
发明(设计)人: | 张辰;魏晨阳;步文博;施剑林 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | C07F1/08 | 分类号: | C07F1/08;C07F1/10;C07F3/10;C07F15/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种d10过渡金属炔化物二维纳米片及其制备方法,所述d10过渡金属炔化物二维纳米片具有单晶结构,所述d10过渡金属炔化物中d10过渡金属与炔源的摩尔比为1:1~1:1.2。本发明的d10过渡金属炔化物二维纳米片,具有单晶结构,厚度均一,分散性良好。由于其特有的类石墨烯的共轭结构,这种结构使得材料具有较高的面内载流子浓度,可以用作为助电子传导的助催化剂或者二维光电感应材料,有望应用于催化、光电以及生物等领域。 | ||
搜索关键词: | 炔化物 二维纳米片 单晶结构 制备 载流子 电子传导 共轭结构 光电感应 厚度均一 类石墨烯 助催化剂 分散性 摩尔比 催化 二维 应用 | ||
【主权项】:
1.一种d10过渡金属炔化物二维纳米片,其特征在于,所述d10过渡金属炔化物二维纳米片具有单晶结构,所述d10过渡金属炔化物中 d10过渡金属与炔源的摩尔比为1:1~1:1.2,所述d10过渡金属为Cu、Ag、Hg、Pd中的至少一种,所述炔源为乙炔、丙炔、丁炔中的至少一种。
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