[发明专利]注浆成型和固相烧结制备薄壁结构碳化硅陶瓷的方法

摘要

一种注浆成型和固相烧结制备薄壁结构碳化硅陶瓷的方法，属于陶瓷制备领域。选用SiC粉体为主要原料，以去离子水为溶剂，添加适量分散剂、粘结剂后混合均匀，然后加入适量消泡剂除泡，制备出高固相含量陶瓷浆料，然后倒入石膏模具注浆，静置一段时间后倒出石膏模具中剩余浆料并回收，继续静置一段时间后经脱模、干燥直接于2100‑2200℃烧成。优点在于，该工艺周期短，简单易行，制备出的薄壁结构SiC陶瓷壁厚为3‑8mm，密度可达3.08‑3.15g/cm3，强度为360‑400MPa之间。

主权项

1.一种注浆成型和固相烧结制备薄壁结构碳化硅陶瓷的方法，其特征在于：工艺步骤及技术参数如下：(1)注浆成型：以碳化硅粉为原料，炭黑为碳源，碳化硼为烧结助剂，以去离子水为溶剂，以有机碱为分散剂，以改性PVA和液体石蜡为粘结剂，将陶瓷粉体原料和分散剂球磨混合0.5‑3h后，加入粘结剂继续球磨0.5‑3h后倒出加入消泡剂，经机械搅拌0.5‑2h后，制备出固相含量为65‑72vol％的浆料，将浆料倒入石膏模具中注浆，静置1‑2.5h后倒出石膏模具中剩余浆料并回收，继续静置1‑2h打开石膏模具脱模获得碳化硅陶瓷素坯；所述的粘结剂的加入量为2‑6％；分散剂加入量为1‑2％；消泡剂为正辛醇,消泡剂加入量为0.1‑0.5％,改性PVA和液体石蜡的比例为1:2‑2:1；(2)干燥和烧结：将成型后的陶瓷素坯于115‑125℃干燥5‑12h后，于2100‑2200℃保温1‑4h烧成，其中1800℃以上的升温速率不超过1.5℃/min ；所述的薄壁结构的壁厚为3‑8mm。