[发明专利]高压真空断路器分合闸半轴制备方法及高压真空断路器分合闸半轴在审
申请号: | 201511025197.5 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105624371A | 公开(公告)日: | 2016-06-01 |
发明(设计)人: | 张丹丹;陈东风;张圣中;张二勇 | 申请(专利权)人: | 平高集团有限公司;国家电网公司 |
主分类号: | C21D1/25 | 分类号: | C21D1/25;C21D6/00;C23C8/38;C23C8/26;C22C38/02;C22C38/04;C22C38/18;C22C38/12;C22C38/16;C22C38/08;H01H11/00 |
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地址: | 467001 *** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明涉及一种高压真空断路器分合闸半轴制备方法及高压真空断路器分合闸半轴,属于高压真空断路器分合闸半轴加工处理技术领域。该高压真空断路器分合闸半轴制备方法包括如下步骤:将坯料加热到860-880℃,在油中淬火,再加热到550-570℃,回火40-180min,冷却至室温,加工成型,得到成型工件;将成型工件进行活性屏等离子渗氮处理即得;渗氮处理的渗氮气气压为400-500Pa,渗氮温度为500-540℃,保温时间为2h。本发明的高压真空断路器分合闸半轴制备方法制得的分合闸半轴的表面质量良好,呈均匀银白色,表面硬度达到820HV以上,渗层深度达290m左右,工件耐蚀性能大幅度提高。 | ||
搜索关键词: | 高压 真空 断路器 合闸 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高压真空断路器分合闸半轴制备方法,其特征在于,包括如下步骤:1)将坯料加热到860‑880℃,在油中淬火,再加热到550‑570℃,回火40‑180min,冷却至室温,加工成型,得到成型工件;2)将成型工件进行活性屏等离子渗氮处理即得;所述渗氮处理的渗氮气体的气压为400‑500Pa,渗氮温度为500‑540℃,保温时间为2h。
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