[发明专利]形成碳基底连接层的方法有效
| 申请号： | 201511025296.3 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105513949B | 公开（公告）日： | 2019-03-12 |
| 发明（设计）人： | 肖培 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 蔡杰赟;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种形成碳基底连接层的方法，包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成电介质层；在所述电介质层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，其中，所述第一沟槽的底部为剩余的所述电介质层，剩余的所述电介质层覆盖所述碳基底；以及进行掩膜层灰化和湿法清洗。所述形成碳基底连接层的方法还包括：刻蚀所述第一沟槽底部剩余的所述电介质层和部分所述碳基底以形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽贯穿所述电介质层并且嵌入所述碳基底；以及使用有机溶剂进行湿法清洗。使用这一方法可以有效地去除掉刻蚀后残留的所述掩膜层。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 基底 连接 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成碳基底连接层的方法，其特征在于，包括：提供碳基底；在所述碳基底上形成电介质层，在所述碳基底上形成所述电介质层包括：在所述碳基底上形成第一子电介质层；在所述第一子电介质层上形成第二子电介质层，所述第二子电介质层的材料为钛；以及在所述第二子电介质层上形成第三子电介质层；在所述电介质层上形成掩膜层；以所述掩膜层为掩膜刻蚀部分所述电介质层形成第一沟槽，所述第一沟槽贯穿所述第三子电介质层和所述第二子电介质层并且嵌入所述第一子电介质层，所述第一沟槽的底部为剩余的第一子电介质层，剩余的所述第一子电介质层覆盖所述碳基底；在形成贯穿所述第三子电介质层和所述第二子电介质层并且嵌入所述第一子电介质层的第一沟槽后，进行掩膜层灰化和湿法清洗；进行掩膜层灰化和湿法清洗后，刻蚀所述第一沟槽底部剩余的所述电介质层和部分所述碳基底以形成第二沟槽，其中，所述第二沟槽贯穿所述电介质层并且嵌入所述碳基底；形成所述第二沟槽后，还包括：使用有机溶剂ST‑44进行湿法清洗。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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