[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201511025332.6 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106935481B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G02B6/13 |
| 代理公司： | 11227 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成若干分立的半导体层，所述半导体层的横截面呈梯形状；形成石墨烯层，所述石墨烯层覆盖所述半导体层的顶部表面。所述半导体器件的形成方法抑制了半导体层中光波的耗散。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，所述半导体器件为波导，其特征在于，包括：/n提供基底，所述基底包括半导体衬底以及位于半导体衬底表面的绝缘层；/n在所述基底上形成若干分立的半导体层，所述半导体层的横截面呈梯形状；/n形成石墨烯层，所述石墨烯层覆盖所述半导体层的整个顶部表面；/n在所述半导体层的顶部表面形成石墨烯层，步骤为：/n在所述半导体层的侧壁形成隔离层，所述隔离层的顶部表面和所述半导体层的顶部表面齐平；/n在所述基底上形成覆盖所述半导体层和隔离层的含碳材料层；/n对所述含碳材料层和半导体层进行退火处理，在所述半导体层的顶部表面形成石墨烯层；/n退火处理之后，去除所述含碳材料层和隔离层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
