[发明专利]一种激光退火装置有效
| 申请号： | 201511025829.8 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN106935492B | 公开（公告）日： | 2019-11-26 |
| 发明（设计）人： | 宋春峰;徐文 | 申请（专利权）人： | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/268 | 分类号： | H01L21/268;H01L21/324 |
| 代理公司： | 31237 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 屈蘅;李时云<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 201203 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种激光退火装置，包括载片台、第一能量探测器、第二能量探测器、第三能量探测器、空间光调制器、能量吸收单元、系统控制器以及与所述系统控制器分别相连的载片台控制器、反射率测量单元、能量调制退火单元；载片台控制器与载片台相连并控制载片台运动，反射率测量单元发出的激光一部分进入第一能量探测器，另一部分入射至晶圆表面，经晶圆表面反射后入射至第二能量探测器，根据第一能量探测器与第二能量探测器的数值得到晶圆反射率；能量调制退火单元发出的激光一部分进入第三能量探测器，另一部分经空间光调制器入射至晶圆表面，经晶圆表面反射后入射至能量吸收单元；上述所得晶圆反射率的值输入空间光调制器的输入端。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 激光 退火 装置 | ||
【主权项】：
1.一种激光退火装置，其特征在于，包括用于承载晶圆的载片台、第一能量探测器、第二能量探测器、第三能量探测器、空间光调制器、能量吸收单元、系统控制器以及与所述系统控制器分别相连的载片台控制器、反射率测量单元、能量调制退火单元；所述载片台控制器与所述载片台相连并控制载片台运动，所述反射率测量单元发出的激光一部分进入第一能量探测器，另一部分入射至所述晶圆表面，经晶圆表面反射后入射至第二能量探测器，根据所述第一能量探测器与第二能量探测器的数值得到所述晶圆反射率；所述能量调制退火单元发出的激光一部分进入第三能量探测器，另一部分经空间光调制器入射至所述晶圆表面，经晶圆表面反射后入射至能量吸收单元；所述晶圆反射率的值输入所述空间光调制器的输入端；所述晶圆划分为若干小单元，各小单元的反射率与对应的空间光调制器的微单元的调节系数的乘积为定值。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海微电子装备(集团)股份有限公司，未经上海微电子装备(集团)股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201511025829.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
