[发明专利]一种多晶硅发射极晶体管及其制作方法在审
申请号: | 201511026015.6 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN106935638A | 公开(公告)日: | 2017-07-07 |
发明(设计)人: | 范建超;王训辉 | 申请(专利权)人: | 无锡华润华晶微电子有限公司 |
主分类号: | H01L29/72 | 分类号: | H01L29/72;H01L29/73;H01L21/331;H01L29/08;H01L21/768 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 孟金喆,胡彬 |
地址: | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种多晶硅发射极晶体管及其制作方法。该制作方法包括在P衬底上依次形成N+型的埋层、N-型的外延层以及第一隔离区和第二隔离区,还包括形成第一N+区,所述第一N+区与所述埋层连通;形成一层第一二氧化硅层;在所述外延层内的上部形成P区和P+区;形成第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔;在所述第二二氧化硅层上方淀积一层第一氮化硅层,并将第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔中的所述第一氮化硅层去除;第一接触孔和第三接触孔中形成一层掺杂多晶硅层;形成第二N+区;在所述掺杂多晶硅层上方及第二接触孔中淀积一层金属层。本发明能够在不降低发射极-集电极穿通电压和电流增益的情况下实现器件的纵向按比例缩小。 | ||
搜索关键词: | 一种 多晶 发射极 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
一种多晶硅发射极晶体管的制作方法,包括:在P衬底上依次形成N+型的埋层、N‑型的外延层以及位于所述外延层两端的第一隔离区和第二隔离区,其特征在于,还包括:形成纵向贯穿所述外延层的第一N+区,所述第一N+区与所述埋层连通;在所述第一隔离区、第一N+区、外延层以及第二隔离区上方形成一层第一二氧化硅层;在所述外延层内的上部且与第二隔离区相邻的位置形成P区;在所述外延层内的上部与所述P区相邻的位置形成P+区;在所述第一二氧化硅层上方淀积一层第二二氧化硅层,并通过刻蚀所述第二二氧化硅层在所述第一N+区上方、所述P+区上方部分区域以及所述P区上方部分区域分别对应形成第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔;在所述第二二氧化硅层上方淀积一层第一氮化硅层,并将第一接触孔、第二接触孔和第三接触孔中的所述第一氮化硅层去除;将所述位于第一接触孔和第三接触孔中的所述第一二氧化硅层去除,并在所述第一接触孔和第三接触孔中形成一层掺杂多晶硅层;在P区内且位于所述第三接触孔下方的位置形成第二N+区;将位于所述第二接触孔中的第一二氧化硅层去除,并在所述掺杂多晶硅层上方及第二接触孔中淀积一层金属层。
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