[发明专利]一种用于半导体光刻的曝光系统与曝光方法

摘要

一种用于半导体光刻的曝光系统与曝光方法，本发明通过在匀光单元与反射镜之间设置微反射镜阵列代替传统的可变狭缝装置，根据曝光时掩模板的图案以及曝光精度要求来设定曝光视场的参数，并输入微反射镜阵列的驱动软件中，计算出微反射镜阵列在曝光时的运动参数，在曝光时，控制板卡根据驱动软件中的数据持续向微反射镜中每个数字微镜发送指令，每个数字微镜在每一时刻接收指令后作出相应的翻转动作，直至曝光结束。本发明采用的微反射镜阵列，具有成千上万个数字微镜实时变化曝光视场、范围与剂量，避免了传统可变狭缝装置在变化狭缝形状时产生的机械振动以及对可变狭缝装置驱动系统的高加速度的要求，降低了曝光系统机械结构与控制系统的复杂性。

主权项

一种用于半导体光刻的曝光系统，依次包括照明光源、准直扩束系统、匀光单元、反射镜、中继单元、掩模板以及工件台，其特征在于，在所述匀光单元与所述反射镜之间设置微反射镜阵列和吸光装置，所述微反射镜阵列将有效光束反射至所述反射镜上并传送至掩模板与工件台上，将杂散光束反射至吸光装置。