[发明专利]光刻工艺方法有效
| 申请号： | 201511026554.X | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105527798B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 李伟峰;王雷 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种光刻工艺方法，包含步骤一，设计测试图形，确定前层图形的尺寸和距离对当前注入层图形的关键尺寸影响的变化量；步骤二，根据测量得到的变化量，调整Dummy图形的尺寸和距离规则；步骤三，在当前注入层图形中筛选出小尺寸图形；步骤四，将小尺寸图形和已经做过常规Dummy图形插入的当前注入层图形做叠加产生新混合层图形；步骤五，对混合层图形增加一个赝层，标记出小尺寸图形区域；步骤六，使用赝层遮挡混合层其他图形，然后根据步骤二所确定的规则进行第二次Dummy图形插入。本发明在制作小尺寸注入层工艺时，通过调整前层图形Dummy图形的排布，改变当前注入层小尺寸的CD,达到满足该层工艺能力的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种光刻工艺方法，其特征在于，包含如下的步骤：步骤一，设计测试图形，确定前层图形的尺寸和距离对当前注入层图形的关键尺寸影响的变化量；步骤二，根据测量得到的变化量，调整Dummy图形的尺寸和距离分布规则；所述的Dummy图形是指在后续的注入层图形中小尺寸图形周围用来调节后层CD的图形；步骤三，在当前注入层图形中筛选出小尺寸图形，所述小尺寸是指关键尺寸线宽≤0.3μm；步骤四，将小尺寸图形和已经做过尺寸和距离调整前的Dummy图形插入的当前注入层图形做叠加产生新混合层图形；步骤五，对混合层图形增加一个赝层，标记出小尺寸图形区域；步骤六，使用赝层遮挡混合层其他图形，然后根据步骤二所确定的规则进行第二次Dummy图形插入。
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