[发明专利]有机无机杂化钙钛矿薄膜以及太阳能电池的制备方法有效
申请号: | 201511026606.3 | 申请日: | 2015-12-30 |
公开(公告)号: | CN105489773B | 公开(公告)日: | 2018-08-24 |
发明(设计)人: | 杨松旺;曹启鹏;高潜潜;刘岩 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
主分类号: | H01L51/44 | 分类号: | H01L51/44;H01L51/48;H01L51/46 |
代理公司: | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人: | 曹芳玲;郑优丽 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及有机无机杂化钙钛矿薄膜以及太阳能电池的制备方法,所述钙钛矿薄膜的化学式为ABX3,其中A为有机胺的阳离子,优选为CH3NH3+,NH2‑CH=NH2+和C4H9NH3+中的至少一种,B=Pb2+,Sn2+,Ge2+,Co2+,Fe2+,Mn2+,Cu2+,和Ni2+中的至少一种,X为Cl‒,Br‒,I‒中的至少一种,所述制备方法包括如下步骤:(1)在基底上制备ABX3薄膜;(2)将步骤(1)获得的薄膜采用微波辐射处理方式进行退火处理,其中微波功率为50~500W,样品温度为50~150oC,微波处理时间为0.5分钟~5分钟。本发明所提供的制备方法时间短、能耗小、生产效率高且工艺简单,制备条件温和,易于操作,应用前景广阔。 | ||
搜索关键词: | 有机 无机 杂化钙钛矿 薄膜 以及 太阳能电池 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种有机无机杂化钙钛矿薄膜的制备方法,其特征在于,所述钙钛矿薄膜的化学式为 ABX3,其中A为有机胺的阳离子,B=Pb2+,Sn2+,Ge2+,Co2+,Fe2+,Mn2+,Cu2+,和Ni2+中的至少一种,X为Cl‒,Br‒,I‒中的至少一种,所述制备方法包括如下步骤:(1)在基底上制备ABX3薄膜,ABX3薄膜通过下述方法制备:通过旋涂法在基底上制备B的卤化物薄膜,然后将制得的B的卤化物薄膜置于含A的卤化物和第一溶剂的溶液中浸泡或置于A的卤化物的蒸气中处理,从而制得ABX3薄膜,或者ABX3薄膜通过下述方法制备:将A的卤化物和B的卤化物分散于第二溶剂中搅拌合成ABX3前驱体溶液,并将该ABX3前驱体溶液旋涂于基底上形成ABX3薄膜,所述基底为致密的金属氧化物薄膜,所述第一溶剂为异丙醇,第二溶剂为二甲亚砜、N,N‑二甲基甲酰胺、γ‑丁内酯、N‑甲基吡咯烷酮中的至少一种;(2)将步骤(1)获得的薄膜置于特氟龙架子上采用微波辐射处理方式进行退火处理,其中微波功率为50~500W,样品温度为50~150℃,微波处理时间为0.5分钟~5分钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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