[发明专利]一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺在审
| 申请号： | 201511028781.6 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105470383A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 马可军;俞振中;郑律 | 申请（专利权）人： | 江苏森尼克电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/02;H01L43/12;H01L27/22 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 孙仿卫 |
| 地址： | 215634 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有预埋电极的磁敏器件及制造工艺，通过在基底与InSb薄膜之间预埋电极，并使电极部分被InSb薄膜覆盖，部分露出，打线时则在电极的裸露部分上进行打线，从而避免了在InSb薄膜上方打线而损坏InSb薄膜，保证了磁敏器件的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 电极 器件 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种具有预埋电极的磁敏器件，它包括由下至上依次设置的基底（1）、InSb薄膜（2），其特征在于：所述的具有预埋电极的磁敏器件还包括位于所述基底上表面的（1）至少两个电极（3），所述InSb薄膜（2）的一部分位于所述基底（1）上表面，所述InSb薄膜（2）的其他部分位于各所述电极（3）的上表面，并分别部分覆盖各电极（3）。
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