[发明专利]一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置

摘要

本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置，所述方法具体包括以下步骤：在InSb衬底上生长InAlSb薄膜，测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ_InAlSb测量；对所述θ_InAlSb测量进行修正，得到θ_InAlSb修正；根据θ_InAlSb修正得到所述InAlSb薄膜的点阵常数a_InAlSb；根据InSb的点阵常数a_InSb、AlSb的点阵常数a_AlSb，以及所述a_InAlSb得到所述InAlSb薄膜中铝组分的含量，本发明的方法和装置能够在不损伤样品的前提下方便快捷的测定InAlSb薄膜中铝组分含量，测试结果也较为精确。

主权项

1.一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法，其特征在于，包括以下步骤：在InSb衬底上生长InAlSb薄膜，测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θInAlSb测量；对所述θInAlSb测量进行修正，得到θInAlSb修正；根据θInAlSb修正得到所述InAlSb薄膜的点阵常数aInAlSb；根据InSb的点阵常数aInSb、AlSb的点阵常数aAlSb，以及所述aInAlSb得到所述InAlSb薄膜中铝组分的含量；对θInAlSb测量进行修正，得到θInAlSb修正具体包括以下步骤：通过公式1，根据InSb衬底的点阵常数aInSb得到InSb衬底HKL等效晶面族的晶面间距dHKL‑InSb，在公式1中H＝4，K＝0，L＝0；通过公式2，根据所述dHKL‑InSb和X射线波长λ，得到InSb衬底满足布喇格方程时的标准角度θInSb标准；λ＝2dHKL‑InSbsinθInSb标准                                           公式2；测定X射线的入射角在所述InSb衬底满足布喇格方程时的角度θInSb测量，结合θInAlSb测量，通过公式3得到θInAlSb测量与θInSb测量之间的差值△θ，△θ＝θInAlSb测量‑θInSb测量                                         公式3；通过公式4，根据θInSb标准和△θ得到θInAlSb修正，θInAlSb修正＝△θ+θInSb标准                                       公式4。