[发明专利]一种碳化硅材料上制备栅介质的方法有效
| 申请号： | 201511029195.3 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105448742B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉 | 申请（专利权）人： | 东莞市义仁汽车租赁有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 吴炳贤 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市东城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公布了一种在碳化硅上制备栅介质材料的方法，该方法包括：在碳化硅表面通过在N2O环境中退火的方式生长1纳米厚氧化硅；采用原子层沉积的方法制备三氧化二铝介质薄膜1纳米，前躯体采用三甲基铝和水，再采用原子层沉积的方法制备三氧化二铝介质薄膜1纳米，前躯体采用三甲基铝和臭氧，再采用氮气等离子体处理表面；按照步骤(2)循环5次；最后采用N2O环境下退化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 材料 制备 介质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在碳化硅上制备栅介质材料的方法，所述方法如下：(1)在碳化硅表面通过在N2O环境中退火的方式生长1‑10纳米厚氧化硅，预定温度为1000‑1300℃；(2)然后采用原子层沉积的方法在步骤(1)完成的衬底上制备三氧化二铝介质薄膜1个周期，前躯体采用三甲基铝和水；再采用原子层沉积的方法制备三氧化二铝介质薄膜1个周期，前躯体采用三甲基铝和臭氧；最后采用氮气等离子体对介质表面进行等离子吹扫；(3)按照步骤(2)循环5‑10次；(4)最后将生长好栅介质的碳化硅片在N2O环境下退火30秒到2分钟，预定温度为300‑900℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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