[发明专利]一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置有效
| 申请号： | 201511029874.0 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106932138B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 伏广才 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12;G01L1/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS压力传感器及其制备方法、电子装置。所述方法包括提供基底，在所述基底上形成有第一层间介电层以及位于所述第一层间介电层上的图案化的复合底部电极，所述复合底部电极包括依次形成的屏蔽层和电极层；在复合底部电极上沉积第二层间介电层和图案化的牺牲材料层，以覆盖所述复合底部电极；在第二层间介电层和所述牺牲材料层上形成顶部电极，以覆盖所述第二层间介电层和所述牺牲材料层；图案化所述顶部电极和所述第二层间介电层，以形成第一开口，露出位于外侧的所述复合底部电极中的电极层；在所述第一开口的侧壁和底部沉积一层与所述顶部电极相同的材料层，以形成具有凹槽的接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压力传感器 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS压力传感器的制备方法，其特征在于，包括：提供基底，在所述基底上形成有第一层间介电层以及位于所述第一层间介电层上的图案化的复合底部电极，所述复合底部电极包括依次形成的屏蔽层和电极层；在所述复合底部电极上沉积第二层间介电层和图案化的牺牲材料层，以覆盖所述复合底部电极；在所述第二层间介电层和所述牺牲材料层上形成顶部电极，以覆盖所述第二层间介电层和所述牺牲材料层；图案化所述顶部电极和所述第二层间介电层，以形成第一开口，露出位于外侧的所述复合底部电极中的电极层；以及在所述第一开口的侧壁和底部沉积一层与所述顶部电极相同的材料层，以部分填充所述第一开口，形成具有凹槽的接触孔。
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