[发明专利]校正后道寄生互连线模型的方法

摘要

本发明的校正后道寄生互连线模型的方法，包括：设计环形振荡器电路，设计MOS器件测试结构，对MOS器件进行mapping测试，校正MOS器件Spice模型，基于MOS器件的测试数据的统计特性，选取用于环形振荡器mapping测试的晶片组；测试无负载的和有电容负载的环形振荡器得到振荡频率，将振荡频率转化为单级反相器的延时；线性拟合延时测试数据和环形振荡器的负载个数；仿真无负载和不同电容负载的环形振荡器，得到单级反相器延时，线性拟合延时仿真数据和环形振荡器的负载个数，基于拟合结果的截距校正中道寄生电容相关参数；基于拟合结果的斜率校正后道互连线寄生电容类型参数，更新ITF文件；仿真电容电阻负载的环形振荡器，校正后道互连线寄生电阻类型参数，更新ITF文件。

主权项

1.一种校正后道寄生互连线模型的方法，该方法对后道寄生互连线模型的ITF文件进行校正，其特征在于，包括：步骤01：设计一系列不同负载类型的环形振荡器，用以校正后道寄生互连模型；对上述环形振荡器中使用的MOS器件设计测试结构进行mapping测试，基于测试数据对MOS器件的spice模型进行校正，基于MOS测试数据的统计分布特性，确定用于环形振荡器mapping测试的晶片组；步骤02：设计无负载和电容负载的环形振荡器，其中电容负载环形振荡器是在无负载环形振荡器基础上添加一个或多个电容的并联作为负载构成；基于所述晶片组对上述无负载和电容负载的环形振荡器进行mapping测试，得到相应的振荡频率，并且将振荡频率转化为单级反相器的延时；对单级反相器延时的测试数据以负载个数为自变量进行线性拟合；步骤03：对上述无负载和电容负载的环形振荡器进行仿真，得到单级反相器的延时；对单级反相器延时的仿真数据以电容负载个数为自变量进行线性拟合；步骤04：对比上述测试数据线性拟合结果和仿真数据线性拟合结果，基于所述测试数据线性拟合结果和仿真数据线性拟合结果的截距校正MOS器件与后道互连线之间的中道寄生电容相关参数，基于所述测试数据线性拟合结果和仿真数据线性拟合结果中的斜率来校正ITF文件中后道寄生电容相关参数，使仿真数据与测试数据吻合，更新ITF文件；步骤05：设计电容电阻负载的环形振荡器，分别进行测试和仿真该电容电阻负载的环形振荡器得到单级反相器延时，校正后道寄生电阻相关参数使测试数据与仿真数据吻合，更新ITF文件；步骤06：重复上述步骤03‑05，直至所有环形振荡器的单级反向器延时测试数据和仿真数据吻合。