[发明专利]用于相变存储器的铒掺杂Sn15Sb85基相变薄膜材料及薄膜制备方法

摘要

本发明公开了一种用于相变存储器的铒掺杂Sn₁₅Sb₈₅基相变薄膜材料，它的化学分子式为(Sn₁₅Sb₈₅)_xEr_y；其中0<x≤0.92，0<y≤0.58，x+y＝1.00。本发明热稳定性好，数据保持力好，低功耗。

主权项

一种薄膜制备方法，其特征在于：该薄膜使用用于相变存储器的铒掺杂Sn₁₅Sb₈₅基相变薄膜材料制成，用于相变存储器的铒掺杂Sn₁₅Sb₈₅基相变薄膜材料的化学分子式为(Sn₁₅Sb₈₅)_xEr_y；其中0<x≤0.92,0<y≤0.58,x+y＝1.00,并且该方法的步骤如下：(a)制备Sn₁₅Sb₈₅靶；(b)制备Er靶材，并将Er靶材切割后贴置于Sn₁₅Sb₈₅靶表面；在所述的步骤(b)中，Er靶材切割成规则的扇形结构，并且扇形所对的圆心角的度数为30°；(c)对贴置Er的Sn₁₅Sb₈₅靶进行磁控溅射，制备得到需要的薄膜；其中，所述薄膜的中Er的掺杂量通过Sn₁₅Sb₈₅靶表面贴置的Er靶材的数量来调控；在所述的步骤(c)中，磁控溅射时的衬底为SiO₂/Si(100)基片；和/或磁控溅射时的电源采用射频电源，且溅射功率为25‑35W；和/或磁控溅射采用的溅射气体为Ar气。