[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法在审
| 申请号： | 201511030362.6 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106935636A | 公开（公告）日： | 2017-07-07 |
| 发明（设计）人： | 张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/24;H01L21/34;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 蔡杰赟,吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述方法包括提供基底，所述基底上具有凸起的鳍部；形成覆盖所述鳍部的黑磷层；在所述鳍部周围的基底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶表面低于所述鳍部的顶表面；在所述黑磷层内形成源区和漏区，在所述源区和漏区之间的黑磷层上形成栅极结构。本发明的鳍式场效应晶体管形成方法的工艺简单，且所形成的鳍式场效应晶体管的应用范围广。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有凸起的鳍部；形成覆盖所述鳍部的黑磷层；在所述鳍部周围的基底上形成隔离结构，所述隔离结构的顶表面低于所述鳍部的顶表面；在所述黑磷层内形成源区和漏区，在所述源区和漏区之间的黑磷层上形成栅极结构。
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