[发明专利]一种基于分级位线结构的SRAM半选干扰消除结构

摘要

本发明公开一种基于分级位线结构的SRAM半选干扰消除结构，包括存储阵列；所述存储阵列为分级位线结构；存储阵列中的存储单元具有单独的读操作支路；存储阵列中的每一列划分为若干个子模块。本发明采用虚拟地线控制，将子模块中各存储单元的读操作支路的地线单独引出，通过地线控制开关统一接入实际地线，并由子模块对应列的列选信号Col控制各地线控制开关的导通状态，切断了读操作时未选中列单元其位线放电通路，从而完全消除了由于半选干扰而导致的静态功耗消耗；而通过局部位线悬浮技术的采用，则在写操作时迫使未选中列局部位线浮空，从而消除了短路放电路径，并且有效地减小了局部位线对半选单元的干扰，使得单元鲁棒性提升，噪声容限增大。

主权项

1.一种基于分级位线结构的SRAM半选干扰消除结构，其特征在于，包括存储阵列；所述存储阵列为分级位线结构，将每列单元划分成若干个子模块；存储阵列中的存储单元采用8T‑SRAM结构，具有单独的读支路；子模块中各存储单元的读操作支路的地线单独引出，通过地线控制开关统一接入实际地线，并由子模块对应列的列选信号Col控制各地线控制开关的导通状态；子模块中还包括有局部灵敏放大器LSA；局部灵敏放大器LSA的正/反输出端通过两个输出缓冲器连接子模块的局部位线，局部灵敏放大器LSA的正/反输入端通过两个传输门连接全局位线；输出缓冲器包括反相器链、末级反相器、预充P管、控制开关和PC2MOS反相器；预充P管连接反相器链的输入端，反相器链的输出端连接末级反相器的输入端和PC2MOS反相器的输入端，末级反相器的输出端通过控制开关连接局部位线，PC2MOS反相器的输出端连接局部位线；控制开关由读写控制信号WEN控制，WEN为高电平时，SRAM进入写操作；预充P管的局部灵敏放大器的使能信号为LsEN，LsEN受列选信号和写字线信号共同控制，对于非选中列，LsEN始终保持低电平；PC2MOS反相器的控制信号CTL由列选信号Col生成，存储列非选中时，CTL为高电平。