[发明专利]超低电压温度阈值检测器有效
| 申请号： | 201511031829.9 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN106328552B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | A·沙布拉 | 申请（专利权）人： | 意法半导体国际有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;H01L27/11 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华;吕世磊 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种集成电路裸片，该集成电路裸片包括形成在半导体衬底中的多个晶体管，这些晶体管的本体区在该半导体衬底的掺杂阱区上。阈值检测器基于半导体衬底的温度是高于还是低于阈值温度而对掺杂阱区选择性地施加第一电压或第二电压。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 温度 阈值 检测器 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路裸片，包括：/n半导体衬底；/n掺杂阱区，所述掺杂阱区在所述半导体衬底中；/n多个晶体管，所述多个晶体管具有定位在所述掺杂阱区中的多个本体区；/n阈值检测器，所述阈值检测器感测所述半导体衬底的温度，并且如果所述温度高于阈值温度则对所述掺杂阱区施加第一偏置电压，并且如果所述温度低于所述阈值温度则对所述掺杂阱区施加第二偏置电压，其中，所述阈值检测器包括：/n输出端子，所述输出端子基于所述温度向所述掺杂阱区供应所述第一偏置电压或所述第二偏置电压；/n第一NMOS晶体管，所述第一NMOS晶体管具有连接至所述输出端子的漏极端子；以及/n第一PMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管具有连接至所述输出端子的漏极端子。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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