[发明专利]倒装芯片及其制备方法和照明设备

摘要

本发明提供了倒装芯片及其制备方法和照明设备，该倒装芯片包括基底，设置于基底下表面的外延层，其中，外延层包括形成有基底下表面的N型氮化镓层；形成在N型氮化镓层下表面的多量子阱层；以及形成在N型氮化镓层下表面的P型氮化镓层，设置外延层下表面的第一反射层，形成于外延层下表面的正极，贯穿第一反射层、P型氮化镓层、多量子阱层，并深入至N型氮化镓层，且与外延层接触的表面上具有绝缘层的负极，形成在外延层侧壁上的第二反射层和形成在基底侧壁上的第三反射层。该倒装芯片能够有效将从基底和外延层侧壁射出的光反射而从基底正面射出，从而提高光利用率，提高亮度和光均匀性、一致性。

主权项

一种倒装芯片，其特征在于，包括：基底；以及外延层，所述外延层包括：N型氮化镓层，所述N型氮化镓层形成在所述基底的下表面；多量子阱层，所述多量子阱层形成在所述N型氮化镓层的下表面；P型氮化镓层，所述P型氮化镓层形成在所述多量子阱层的下表面；第一反射层，所述反射层形成在所述P型氮化镓层的下表面；正极，所述正极形成在所述P型氮化镓层的下表面；负极，所述负极贯穿所述第一反射层、P型氮化镓层、多量子阱层，并深入至所述N型氮化镓层，且所述负极与所述外延层接触的侧壁上具有绝缘层，第二反射层，所述第二反射层形成在所述外延层的侧壁上；第三反射层，所述第三反射层形成在所述基底的侧壁上。