[发明专利]一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构在审
| 申请号： | 201511032304.7 | 申请日： | 2015-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN105576031A | 公开（公告）日： | 2016-05-11 |
| 发明（设计）人： | 刘丽蓉;马莉;夏校军 | 申请（专利权）人： | 东莞市青麦田数码科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L29/06;H01L29/12;H01L29/20 |
| 代理公司： | 广东莞信律师事务所 44332 | 代理人： | 吴炳贤 |
| 地址： | 523000 广东省东莞市东城*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，该结构自上而下依次是：一半绝缘单晶砷化镓衬底(101)；一在该砷化镓单晶衬底层(101)上形成的砷化镓沟道层(102)；一在该N型掺杂的砷化镓沟道层(102)上形成的界面控制层GaN(103)；一在该界面控制层GaN(103)上形成的界面过渡层AlN(104)；一在该界面过渡层AlN(104)上形成的高K介质层(105)；以及一在该高K栅介质(105)上形成的金属栅结构(106)。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 界面 gaas 沟道 mos 结构 | ||
【主权项】：
一种以GaN为界面层的GaAs沟道MOS界面结构，其特征在于，该结构自下而上依次包括：一半绝缘单晶砷化镓衬底(101)；一在该砷化镓单晶衬底层(101)上形成的砷化镓沟道层(102)；一在该砷化镓沟道层(102)上形成的GaN界面控制层(103)；一在该GaN界面控制层(103)上形成的AlN界面过渡层(104)；一在该AlN界面过渡层(104)上形成的Al2O3高K介质层(105)；以及一在该Al2O3高K栅介质(105)上形成的钨金属栅层(106)。
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