[发明专利]一种提高MLC闪存系统性能的方法和装置有效
申请号: | 201511032641.6 | 申请日: | 2015-12-31 |
公开(公告)号: | CN106933499B | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | 朱荣臻 | 申请(专利权)人: | 北京京存技术有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F11/14 |
代理公司: | 11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司 | 代理人: | 苏培华 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种提高MLC闪存系统性能的方法和装置,方法包括:将接收的待写数据写入MLC闪存系统时,确定待写数据的数据类型;当数据类型为非系统数据时,控制MLC闪存系统不对写入LSB页的数据进行备份。本发明实施例可以在将非系统数据写入MLC闪存系统的过程中避免冗余备份LSB页,节约了存储空间,有效减少了冗余写动作,极大提高了闪存系统性能和寿命。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 mlc 闪存 系统 性能 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种提高MLC闪存系统性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n将接收的待写数据写入MLC闪存系统时,确定所述待写数据的数据类型;/n当所述数据类型为非系统数据时,控制所述MLC闪存系统不对写入LSB页的数据进行备份,以实现在将非系统数据写入MLC闪存系统的过程中避免冗余备份LSB页。/n
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