[发明专利]一种提高MLC闪存系统性能的方法和装置有效

专利信息
申请号: 201511032641.6 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN106933499B 公开(公告)日: 2020-01-17
发明(设计)人: 朱荣臻 申请(专利权)人: 北京京存技术有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06;G06F11/14
代理公司: 11319 北京润泽恒知识产权代理有限公司 代理人: 苏培华
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供了一种提高MLC闪存系统性能的方法和装置,方法包括:将接收的待写数据写入MLC闪存系统时,确定待写数据的数据类型;当数据类型为非系统数据时,控制MLC闪存系统不对写入LSB页的数据进行备份。本发明实施例可以在将非系统数据写入MLC闪存系统的过程中避免冗余备份LSB页,节约了存储空间,有效减少了冗余写动作,极大提高了闪存系统性能和寿命。
搜索关键词: 一种 提高 mlc 闪存 系统 性能 方法 装置
【主权项】:
1.一种提高MLC闪存系统性能的方法,其特征在于,包括以下步骤:/n将接收的待写数据写入MLC闪存系统时,确定所述待写数据的数据类型;/n当所述数据类型为非系统数据时,控制所述MLC闪存系统不对写入LSB页的数据进行备份,以实现在将非系统数据写入MLC闪存系统的过程中避免冗余备份LSB页。/n
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