[发明专利]高居里温度压电陶瓷及其薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201511032672.1 | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105732022A | 公开（公告）日： | 2016-07-06 |
| 发明（设计）人： | 郭栋;王云丽;蔡锴;江凤 | 申请（专利权）人： | 中国科学院声学研究所 |
| 主分类号： | C04B35/475 | 分类号： | C04B35/475 |
| 代理公司： | 北京亿腾知识产权代理事务所 11309 | 代理人： | 陈霁 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高居里温度压电陶瓷及其薄膜的制备方法，制备的压电陶瓷材料的化学通式为(1‑x)(BiMg1/2Ti1/2O3)‑x(PbTiO3)‑yMe，其中，0.3≤x≤0.45，0≤y≤0.05，Me为改性元素。起始原料为铋盐、镁盐、铅盐、铬盐或/和锰盐及有机钛盐，通过选择合适的分散介质、控制溶液的温度和浓度、加料顺序，通过稳定剂的螯合作用，使几种金属盐形成均一的溶胶，再经浓缩、干燥及煅烧工序以制备高居里温度压电纳米粉体，然后经球磨、干燥、过筛、压片、烧结工序以制备高居里温度压电陶瓷。或通过旋涂、浸润等各种溶液法，利用均一溶胶在无机基片上制备薄膜，然后经干燥、退火以制备压电陶瓷薄膜。本发明制备的压电陶瓷材料可用于各种工作温度在200℃以上的换能器、传感器等相关压电器件，具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 居里 温度 压电 陶瓷 及其 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高居里温度压电陶瓷，其特征在于，所述压电陶瓷的化学通式为(1‑x)(BiMg1/2Ti1/2O3)‑x(PbTiO3)‑yMe，其中，0.3≤x≤0.45，0≤y≤0.05，Me为改性元素。
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