[发明专利]闪存系统及其避免冗余备份LSB页的方法和装置在审

专利信息
申请号: 201511032709.0 申请日: 2015-12-31
公开(公告)号: CN106935259A 公开(公告)日: 2017-07-07
发明(设计)人: 朱荣臻 申请(专利权)人: 北京京存技术有限公司
主分类号: G11C16/04 分类号: G11C16/04;G11C7/00
代理公司: 北京润泽恒知识产权代理有限公司11319 代理人: 苏培华
地址: 100176 北京市大兴区北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明实施例提供了一种闪存系统及其避免冗余备份LSB页的方法和装置,方法包括接收待写入MLC NAND闪存的用户数据;MLC NAND闪存分为SLC块区域和MLC块区域,SLC块区域中仅LSB页可被操作,MLC块区域中LSB页和MSB页均可被操作;将用户数据存储至SLC块区域;将SLC块区域中的有效用户数据移至MLC块区域。本发明实施例可以在存储用户数据至MLC NAND闪存的过程中避免冗余备份LSB页,有效减少了冗余写动作,同时解决了MLC NAND闪存的配对页掉电崩溃问题,有效提高了系统性能和寿命。
搜索关键词: 闪存 系统 及其 避免 冗余 备份 lsb 方法 装置
【主权项】:
一种避免冗余备份LSB页的方法,其特征在于,包括以下步骤:接收待写入MLC NAND闪存的用户数据;所述MLC NAND闪存分为SLC块区域和MLC块区域,所述SLC块区域中仅LSB页可被操作,所述MLC块区域中LSB页和MSB页均可被操作;将所述用户数据存储至所述SLC块区域;将所述SLC块区域中的有效用户数据移至所述MLC块区域。
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