[发明专利]一种半导体器件的基板有效
| 申请号： | 201511033359.X | 申请日： | 2015-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN105633131B | 公开（公告）日： | 2019-11-29 |
| 发明（设计）人： | 星野政宏;张乐年 | 申请（专利权）人： | 台州市一能科技有限公司;星野政宏 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24 |
| 代理公司： | 33107 台州市方圆专利事务所(普通合伙) | 代理人： | 孙圣贵<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 318000 浙江省台*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的基板，属于半导体技术领域。为了解决现有的基板散热差的问题，提供一种半导体器件的基板，所述基板采用包含碳化硅粒子的原料制成，所述碳化硅粒子最长边的长度大于或等于基板最大厚度的一半以上。本半导体器件的基板能够在一定程度上使碳化硅粒子最长边沿着基板厚度的方向进行排列，增加了碳化硅粒子最长边沿着基板厚度的方向排列的趋势和概率，从而达到使其具有高热传导系数和良好的散热效果。且通过对基板的表面进行物理和/或化学处理以及在表面设置金属层，来提高基板的整体热传导系数和散热效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的基板，所述基板(1)采用包含碳化硅粒子的原料制成，其特征在于，所述碳化硅粒子最长边的长度大于或等于基板(1)最大厚度的一半，所述原料中还含有烧结助剂，且所述基板(1)经过烧结而成。/n
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